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ST意法半导体STF24N60M2 场效应管TO-220F
ST意法半导体STF24N60M2 场效应管TO-220F
产品介绍

ST意法半导体STF24N60M2 场效应管TO-220F

N沟道 耐压:600V 电流:18A 场效应管

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏较电流(Id)18A
功率(Pd)30W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,9A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅较电荷(Qg@Vgs)29nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.06nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)




欢迎来到深圳市安特凌电子有限公司网站, 具体地址是广东深圳福田区佳和大厦,联系人是林小姐。
联系手机是13691923164, 主要经营电子元器件集成电路,IGBT模块 ,电容器,贴片电容电阻。
单位注册资金单位注册资金人民币 100 万元以下。

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