ST意法半导体STF24N60M2 场效应管TO-220F
N沟道 耐压:600V 电流:18A 场效应管
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏较电流(Id) | 18A | |
功率(Pd) | 30W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 190mΩ@10V,9A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅较电荷(Qg@Vgs) | 29nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.06nF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |